Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -11А; Idm: -60А

Немає в наявності
Код товару: SI7463DP-T1-E3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7463DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,14мкКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 9,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: -11А
Струм стоку в імпульсі: -60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -3,3А; Idm: -15А; 1,8Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -3,3А; Idm: -15А; 1,8Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Недоступний
M16; 1.5; IP68; brass; WADI-A-FKM; Cable gland: cable
M16; 1.5; IP68; brass; WADI-A-FKM; Cable gland: cable

538,52 грн

Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
5мм
Зовнішній діаметр проводу:
7...9мм
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 93; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 93; THT; straight

168,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
29мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thin film; 33Ом; 300мВт; SMA; -55÷155°C; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 33Ом; 300мВт; SMA; -55÷155°C; 50ppm/°C

6,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
33Ом
Потужність:
0,3Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 250ВDC; 250ВAC; Ifsm: 83А
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 250ВDC; 250ВAC; Ifsm: 83А

144,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Застосування конденсаторів:
фільтруючі
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; THT; 3A; 250V

404,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230/400ВAC
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230/400ВAC

723,52 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61008
Диференціальний струм:
0,1А
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD