Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -50А; Idm: -100А

Немає в наявності
Код товару: SUD50P04-08-GE3
104,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SUD50P04-08-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 159нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 8,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 73,5Вт
Струм стока: -50А
Струм стоку в імпульсі: -100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 47мкГн; 170мА; R: 1,69Ом; ±10%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 47мкГн; 170мА; R: 1,69Ом; ±10%; LQH

4,37 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
47мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
IC: датчик температури; -40÷125°C; VSSOP8; SMD; Точність: ±4°C
IC: датчик температури; -40÷125°C; VSSOP8; SMD; Точність: ±4°C

77,93 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Діапазон вимірювання температури:
-40...125°C
Інтерфейс:
аналоговий
Корпус:
VSSOP8
Вузька ножівка; Ø: 70мм; біметалічний
Вузька ножівка; Ø: 70мм; біметалічний

375,70 грн

Використання інструментів:
алюміній; дерево; нержавіюча сталь; пластик; сталь; чавун
Глибина зрізу:
38мм
Діаметр:
70мм
Матеріал:
біметалічний
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 8кБEEPROM; I2C; 1Кx8бит; SOIC8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 8кБEEPROM; I2C; 1Кx8бит; SOIC8; послідовний

14,64 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 5,76кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 5,76кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD