Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -79А; Idm: -227А

Немає в наявності
Код товару: SQS141ELNW-T1_GE3
29,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS141ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 141нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 19мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 119Вт
Струм стока: -79А
Струм стоку в імпульсі: -227А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,51 грн

Alias:
KAM15AR71H822KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 78; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 78; THT; straight

101,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP64
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP64

238,85 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DMAC x4; HLVD; PMP; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1А; SMA flat; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 30А
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1А; SMA flat; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 30А

2,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
SMA flat
Резистор: thick film; 365Ом; 0603; 100мВт; ±1%; AF; -55÷155°C
Резистор: thick film; 365Ом; 0603; 100мВт; ±1%; AF; -55÷155°C

0,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 37,1÷41В; 28А; односпрямована; SMC; 1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 37,1÷41В; 28А; односпрямована; SMC; 1.5SMC

10,90 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
33,3В
Корпус; втискуваний; лінії: 13; поліамід 66; сірий
Корпус; втискуваний; лінії: 13; поліамід 66; сірий

738,09 грн

Використання аксесуари для запобіжників:
запобіжники автомобільні
Застосування - серія/виробник:
M8COMPACT; MAXICOMPACT; MINIVAL
Кількість ліній:
13
Колір:
сірий
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3

18,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В