1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -0,115А; 0,14Вт

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -0,115А; 0,14Вт
Немає в наявності
Код товару: TP0610K-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TP0610K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,7нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,14Вт
Струм стока: -0,115А
Струм стоку в імпульсі: -0,8А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5,3кВ; Uce: 70В; DIP4
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5,3кВ; Uce: 70В; DIP4

44,98 грн

CTR@If:
63-125%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP4
Недоступний
Резистор: thick film; 3,32кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,32кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷28ВDC; Uвих: 0,6÷5ВDC; 17А; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷28ВDC; Uвих: 0,6÷5ВDC; 17А; SMD

2381,53 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
лоток
Вихідна напруга:
0,6...5В DC
Вихідний струм:
17А
Недоступний
Кристал; 27МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±20ppm
Кристал; 27МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 10пФ; Стаб.част: ±20ppm

10,83 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Резистор: thick film; 309кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 309кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -230мА; Idm: -0,92А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -230мА; Idm: -0,92А

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -80А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -80А

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
126нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -45А; Idm: -328А; 110Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -45А; Idm: -328А; 110Вт

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62,1нКл
Корпус:
DPAK; TO252AA
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -900мА; Idm: -3,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -900мА; Idm: -3,6А; 1,25Вт

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; PDFN5060-8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PDFN5060-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -9А; Idm: -36А; 54,3Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -9А; Idm: -36А; 54,3Вт; TO252

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO252