Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -18,3А; Idm: -30А

Немає в наявності
Код товару: SUD19P06-60-E3
23,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SUD19P06-60-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 38,5Вт
Струм стока: -18,3А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; VQFN64; 1,8÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; VQFN64; 1,8÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм

394,70 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
watchdog; резонатор 32кГц для RTC
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI x2; UART
Кількість входів/виходів:
53
Недоступний
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 2.25N; screw-in
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 2.25N; screw-in

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: AS5134; датчик магнітного поля
Click board; макетна плата; Комп: AS5134; датчик магнітного поля

2631,78 грн

Вид модуля:
датчик магнітного поля
Інтерфейс:
SPI; аналоговий
Компоненти:
AS5134
Напруга живлення:
3,3В DC; 5В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 604Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Роз’єм: HDC; EPIC® ULTRA H-B 16 TGH QB 2X 7-15; промислова
Роз’єм: HDC; EPIC® ULTRA H-B 16 TGH QB 2X 7-15; промислова

2664,09 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
EPIC® ULTRA H-B 16 TGH QB 2X 7-15
Тип роз’єму:
HDC
Недоступний
Резистор: thin film; 4,22Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 4,22Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

11,02 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 182Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 182Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD