1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -52А; Idm: -200А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -52А; Idm: -200А
Немає в наявності
Код товару: SQJ459EP-T1_BE3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ459EP-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 108нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 31мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: -52А
Струм стоку в імпульсі: -200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 200кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 200кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Модуль автоматики: карта зв'язку; D-Sub 62pin,D-Sub 78pin
Модуль автоматики: карта зв'язку; D-Sub 62pin,D-Sub 78pin

12406,25 грн

Інтерфейс:
PCI; PCI Express; RS232/RS422/RS485 x8
Підключення:
D-Sub 62pin; D-Sub 78pin
Робоча температура:
-10...60°C
Розміри:
174,65x106,67мм
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 10нФ; 100ВDC; 63ВAC; 3x8,5x10мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 10нФ; 100ВDC; 63ВAC; 3x8,5x10мм

7,73 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА

436,52 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
0,25А
Відповідність стандарту:
CE
Недоступний
Резистор: thick film; 511Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 511Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

2,85 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 124кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 124кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
LED; зелений; SMD; PLCC4; 3,11x2,76мм; 125°; 150мА; λd: 520÷535нм
LED; зелений; SMD; PLCC4; 3,11x2,76мм; 125°; 150мА; λd: 520÷535нм

33,83 грн

Голівка:
плоске
Довжина хвилі λd:
520...535нм
Кількість виводів:
4
Кількість діодів:
1
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -100мА
Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-0,1А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD