1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SUD08P06-155L-GE3
77,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SUD08P06-155L-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,35Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 20,8Вт
Струм стока: -8,2А
Струм стоку в імпульсі: -18А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Tap: metric-set; M30; left hand thread; 3.5; L: 125mm; 18mm; 3pcs.
Tap: metric-set; M30; left hand thread; 3.5; L: 125mm; 18mm; 3pcs.

6465,42 грн

Type of tap:
metric - set
Вид різьблення:
ліва
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Модуль автоматики: аналоговий вихід; IP20; Modicon TM5; OUT: 4
Модуль автоматики: аналоговий вихід; IP20; Modicon TM5; OUT: 4

31525,00 грн

Вид виходу 1:
0...20мА; ±10В
Кількість виходів:
4
Клас герметичності:
IP20
Розділення перетворювача:
12бит
Гніздо; гніздовий; Iном: 35А; 600В; прямий; на PCB,для проводу
Гніздо; гніздовий; Iном: 35А; 600В; прямий; на PCB,для проводу

153,32 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Максимальний струм:
35А
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

325,65 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 48МГц; ADC,DAC,I2C,PTC,SPI,USART
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 48МГц; ADC,DAC,I2C,PTC,SPI,USART

39,47 грн

Вид архітектури:
32бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Detection (BOD); CRC; PoR; RTC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Кристал; 48МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 8пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 48МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 8пФ; Стаб.част: ±30ppm

17,68 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
8пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; I2C; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; I2C; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

156,49 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23