1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -68А; 568Вт; TO268

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -68А; 568Вт; TO268
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTT68P20T
824,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT68P20T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 380нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±15В
Напруга сток-джерело: -200В
Опір в стані провідності: 55мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 568Вт
Струм стока: -68А
Технологія: TrenchP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 245нс
Недоступний
Лінза для LED; прямокутна; плексіглас PMMA; прозорий; діоди LED
Лінза для LED; прямокутна; плексіглас PMMA; прозорий; діоди LED

309,17 грн

Type of optoelectronics accessories:
лінза для LED
Використання:
діоди LED
Висота:
9мм
Застосування - серія/виробник:
LED CREE; LED LUMILEDS; LED NICHIA; LUXEON A; LUXEON Rebel; LUXEON Rebel ES
Недоступний
Резистор: thin film; 2,43кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 2,43кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
17нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,4нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD