Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -48А; 150Вт; 30нс

Name: Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -48А; 150Вт; 30нс
Brand: IXYS
SKU: IXTP48P05T
Price: 285.73 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: IXTP48P05T

285,73 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IXTP48P05T

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

53нКл

Корпус:

TO220AB

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±15В

Напруга сток-джерело:

-50В

Опір в стані провідності:

30мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

150Вт

Струм стока:

-48А

Технологія:

TrenchP™

Тип транзистора:

P-MOSFET

Час готовності:

30нс

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,7А; 35Вт; TO220FP

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
29нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -76А; 298Вт; 70нс

465,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
197нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -32А; 300Вт; 190нс

551,83 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
185нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт

1494,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
740нКл

Корпус:
ISOPLUS247™

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -42А; Idm: -168А; 36,7Вт

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
TO220FP