1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTH120P065T
484,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTH120P065T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 185нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±15В
Напруга сток-джерело: -65В
Опір в стані провідності: 10мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 298Вт
Струм стока: -120А
Технологія: TrenchP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 53нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 6,3В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 6,3В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: цифровий; неінвертуючий,відвертаючий,тригер D; Ch: 2; IN: 1
IC: цифровий; неінвертуючий,відвертаючий,тригер D; Ch: 2; IN: 1

26,17 грн

Вид виходу:
push-pull
Вид об'єднаної схеми:
відвертаючий; неінвертуючий; тригер D
Кількість виходів:
1
Кількість каналів:
2
Діод: TVS; 0,6кВт; 14,4В; 28А; односпрямована; SOD128F; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 14,4В; 28А; односпрямована; SOD128F; Ch: 1

9,31 грн

Зворотна напруга макс.:
13В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD128F
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 3кВт; 133÷147В; 15,54А; двоспрямована; SMC
Діод: TVS; 3кВт; 133÷147В; 15,54А; двоспрямована; SMC

25,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
120В
Корпус:
SMC
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; H: 670мм; 0,5÷20м; IP67; F3SG-PG; 24ВDC
Світловий бар'єр безпеки; H: 670мм; 0,5÷20м; IP67; F3SG-PG; 24ВDC

47142,10 грн

Вид виходу 1:
NPN; PNP
Висота:
670мм
Дальність:
0,5...20м
Категорія безпеки:
4
Недоступний
Діод: TVS; 56,15В; 194,3А; двоспрямована; ±5%; P600; 15кВт; 15KPA
Діод: TVS; 56,15В; 194,3А; двоспрямована; ±5%; P600; 15кВт; 15KPA

451,72 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
48В
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 4А; Iмакс: 100А; Iперемик.max: 20А
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 4А; Iмакс: 100А; Iперемик.max: 20А

5,07 грн

Максимальна напруга:
16В
Максимальний струм:
100А
Монтаж:
THT
Номінальний струм:
4А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC

159,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO220-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO220-3

198,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -21,2А; 62Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -21,2А; 62Вт; TO220FP

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -22А; 312Вт; 477нс
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -22А; 312Вт; 477нс

798,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
205нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; Idm: -72А; 88Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; Idm: -72А; 88Вт; TO220AB

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
TO220AB