1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -2,3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -2,3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDC6312P
60,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDC6312P
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SuperSOT-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,96Вт
Струм стока: -2,3А
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 4,3Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,76 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
4,3Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,2пФ
Резистор: thin film; 3,92кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 3,92кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RT; -55÷155°C

0,19 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 10ВDC; Ø8x6,2мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 10ВDC; Ø8x6,2мм; ±20%

11,59 грн

Висота:
6,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
підвищена температура пайки
Діаметр:
8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; MLF10
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; MLF10

54,49 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,8В; 3,3В
Вихідний струм:
0,15...0,3А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; 30В; 48,1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; 30В; 48,1Вт

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SOP8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8

27,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 6А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 6А; SOP8

34,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 8А; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 8А; SOP8

32,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В