1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -4,9А; Idm: -20А; 900мВт

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -4,9А; Idm: -20А; 900мВт
Немає в наявності
Код товару: AOTE21115C
9,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AOTE21115C
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,5нКл
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 44мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: -4,9А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,2пФ
5G,Cellular,Wideband; лінійна; 50Ом; 698МГц÷7,125ГГц
5G,Cellular,Wideband; лінійна; 50Ом; 698МГц÷7,125ГГц

1776,48 грн

Вид антени:
5G; Cellular; Wideband
Імпеданс:
50Ом
Поляризація:
лінійна
Частота:
698МГц...7,125ГГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0303
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0303

42,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Вимикач двигуна; 34кВт; 220÷690ВAC; на шину DIN; IP20; -25÷55°C
Вимикач двигуна; 34кВт; 220÷690ВAC; на шину DIN; IP20; -25÷55°C

17950,48 грн

Діапазон налаштування захисту:
55...63А
Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 0,3А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 0,3А

66,52 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,5В; 3,3В
Вихідний струм:
0,3А
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,8нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 57А; Idm: 48А; HSOP8; ESD

34,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 500мА; 200мВт

4,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,23нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 20Вт; HSOP8

35,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл