1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,7А; Idm: -23А; 1,1Вт

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,7А; Idm: -23А; 1,1Вт
Немає в наявності
Код товару: AOSD21313C
10,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AOSD21313C
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 32мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: -5,7А
Струм стоку в імпульсі: -23А
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 4,64Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,64Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
4,64Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 4,99кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 4,99кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,67 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Кристал; 24,576МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 9пФ; Стаб.част: ±10ppm
Кристал; 24,576МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 9пФ; Стаб.част: ±10ppm

22,17 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
9пФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

1,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 10; angled; THT; 2.54mm; 2x5
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 10; angled; THT; 2.54mm; 2x5

31,74 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
10
Недоступний
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; PS; 50В
Резистор: thick film; 820Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; PS; 50В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Діод: TVS; ESD; 400Вт; 40В; двоспрямована; SOD323; ролик,cтрічка
Діод: TVS; ESD; 400Вт; 40В; двоспрямована; SOD323; ролик,cтрічка

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
14пФ
Зворотна напруга макс.:
36В
Корпус:
SOD323
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8

105,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/8,2нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1,7Вт; CSP1515-4; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1,7Вт; CSP1515-4; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
CSP1515-4
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт

8,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,18А
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,5нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт
Транзистор: N-MOSFET; 20В
Транзистор: N-MOSFET; 20В

2,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-8...8В
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,7А; 190мВт; SC70-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,7А; 190мВт; SC70-6

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,57нКл
Корпус:
SC70-6
Монтаж:
SMD