Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -3,5А; Idm: -14А; 1,5Вт

Немає в наявності
Код товару: QH8JC5TCR
93,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: QH8JC5TCR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17,3нКл
Корпус: TSMT8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 101мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -3,5А
Струм стоку в імпульсі: -14А
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
0,33МОм
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC; SRB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC; SRB

32,94 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
20,5x7x15,1мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 560мкФ; 50ВDC; Ø16x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 560мкФ; 50ВDC; Ø16x20мм; ±20%

54,49 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
20мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 50ВDC; ±5%; SMD; 0201; Thk: 0,3мм
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 50ВDC; ±5%; SMD; 0201; Thk: 0,3мм

0,08 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 52,3Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 52,3Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
52,3Ом
Конденсатор: керамічний; 150пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 150пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,89 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,15нФ
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD

4,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,27нКл
Корпус:
SC88