Name: Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт; SO8
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: SH8JC5TB1
Price: 44.35 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт; SO8

Немає в наявності

Код товару: SH8JC5TB1

44,35 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

SH8JC5TB1

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

50нКл

Корпус:

SO8

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-60В

Опір в стані провідності:

35мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2Вт

Струм стока:

-7,5А

Струм стоку в імпульсі:

-30А

Тип транзистора:

P-MOSFET x2

Бажані

IC: супервізор; open drain; Активний стан: низьке; SSOP5; Ch: 1

8,05 грн

Активний стан:
низьке

Вид виходу RESET:
open drain

Кількість каналів:
1

Корпус:
SSOP5

Недоступний

Бажані

Кабель: до датчиків; PIN: 3; 2м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 2А; 765; PUR

1485,05 грн

Довжина кабелю:
2м

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR

Кількість пін:
3

Клас герметичності:
IP67

Недоступний

Бажані

Симістор; 1кВ; 4А; Igt: 25мА; TO251; туба

60,82 грн

Typ of triac:
стандартний

Вид упаковки:
туба

Зворотна напруга макс.:
1кВ

Корпус:
TO251

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TSOP-6

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
4,6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,73Вт

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Заряд затвора:
4,7/2,8нКл

Корпус:
TSOP6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 14А; 7Вт; DFN3x3A DUAL; ESD

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7,5нКл

Корпус:
DFN3x3A DUAL

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
TSOT26