Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; автомобільна галузь

Немає в наявності
Код товару: DMG1023UVQ-13
4,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMG1023UVQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Використання: автомобільна галузь
Монтаж: SMD
Поляризація: польовий
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 144÷159В; 1,9А; односпрямована; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 144÷159В; 1,9А; односпрямована; SMA; SMAJ

3,80 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
130В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD

7,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP64; KINETIS
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP64; KINETIS

281,93 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Інтерфейс:
16bit SPI; FlexCAN x2; I2C; UART x2
Кількість входів/виходів:
58
Корпус:
LQFP64
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

1,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Роз’єм: M12; промислова; M; прямий; латунь; латунь; -40÷105°C
Роз’єм: M12; промислова; M; прямий; латунь; латунь; -40÷105°C

73,49 грн

Connector family:
промислова
Матеріал корпусу:
латунь
Просторова орієнтація:
прямий
Робоча температура:
-40...105°C
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67В; 38,8А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67В; 38,8А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
IC: driver; контролер затворів; SO20-W; 4А; Ch: 2; 5кВ
IC: driver; контролер затворів; SO20-W; 4А; Ch: 2; 5кВ

480,87 грн

Вид виходу:
що інвертує; що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів
Вихідний струм:
4А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 250В; 30А; Idm: 130А
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 250В; 30А; Idm: 130А

1099,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 4А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 4А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOP8

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 800мА; Idm: 3А; 300мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 800мА; Idm: 3А; 300мВт; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 200мВт

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,06нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20,5нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 57А; Idm: 228А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 57А; Idm: 228А; 62,5Вт

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6