1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -12В; -4,5А; 7,8Вт

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -12В; -4,5А; 7,8Вт
Немає в наявності
Код товару: SIA907EDJT-T1-GE3
13,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA907EDJT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: -4,5А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Пуск.компл: з дисплеєм; LCD TFT; GEN4; 5ВDC; uC: DIABLO16; -20÷70°C
Пуск.компл: з дисплеєм; LCD TFT; GEN4; 5ВDC; uC: DIABLO16; -20÷70°C

0,00 грн

Cенсорна панель:
ємкісний
Вид вжитого дисплея:
LCD TFT
Властивості дисплеїв:
інтелігентний
Діагональ екрану:
3,5"
Недоступний
Резистор: thin film; 887Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 887Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8

105,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/8,2нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1,7Вт; CSP1515-4; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1,7Вт; CSP1515-4; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
CSP1515-4
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт

8,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,18А
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,5нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт
Транзистор: N-MOSFET; 20В
Транзистор: N-MOSFET; 20В

2,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-8...8В
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,7А; 190мВт; SC70-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,7А; 190мВт; SC70-6

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,57нКл
Корпус:
SC70-6
Монтаж:
SMD