1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,4А; 2,8Вт

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,4А; 2,8Вт
Немає в наявності
Код товару: SI7923DN-T1-GE3
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7923DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,8Вт
Струм стока: -6,4А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 75нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 1,7В
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 75нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 1,7В

24,71 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Кількість в наборі/упаковці:
7500шт.
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 470нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; 470нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1812

5,83 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
0,47мкФ
Корпус - дюйм:
1812
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 1÷30мм; PNP; LIGHT-ON; 20мА
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 1÷30мм; PNP; LIGHT-ON; 20мА

8013,19 грн

Дальність:
1...30мм
Довжина відводів:
0,3м
Довжина хвилі λd:
650нм
Зовнішні розміри:
12x24x3,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,9пФ
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 25нс; FBGA48; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 25нс; FBGA48; паралельний

2534,21 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
FBGA48
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,25%
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3/1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,2нКл
Корпус:
SO8