1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -30В; -6А; Idm: -40А

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -30В; -6А; Idm: -40А
Немає в наявності
Код товару: SI7223DN-T1-GE3
23,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 6000
Код товару: SI7223DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 37,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 23Вт
Струм стока: -6А
Струм стоку в імпульсі: -40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 300В; 2А; SMA; Ufmax: 1,25В; Ifsm: 50А
Діод: випрямний; SMD; 300В; 2А; SMA; Ufmax: 1,25В; Ifsm: 50А

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
300В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 3,09кОм; 0402; 100мВт; -55÷155°C; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 3,09кОм; 0402; 100мВт; -55÷155°C; 25ppm/°C

6,97 грн

Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
3,09кОм
Потужність:
0,1Вт
Провід; BiT 500 BLACK FR; 4G1мм2; неекранований; 300В,500В; Cu
Провід; BiT 500 BLACK FR; 4G1мм2; неекранований; 300В,500В; Cu

98,83 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
8,2нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD; PIC16

105,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
24
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD

4,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,27нКл
Корпус:
SC88