1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Симистори

Симістор; 1кВ; 8А; Igt: 35мА; TO220FP; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com

Симістор; 1кВ; 8А; Igt: 35мА; TO220FP; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Немає в наявності
Код товару: BTA408X-1000C0T,127
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BTA408X-1000C0T,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: high temperature; sensitive gate
Зворотна напруга макс.: 1кВ
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Струм вентиля: 35мА
Струм в імпульсі макс.: 100А
Струм провідності макс.: 8А
Технологія: 3Q; Hi-Com
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Недоступний
Резистор: thin film; 39Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 39Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
32МГц; Властивості: DMA,PoR,PWM; -40÷85°C; Осердя: 16-bit
32МГц; Властивості: DMA,PoR,PWM; -40÷85°C; Осердя: 16-bit

Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; UART; USART
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Резистор: thin film; 560кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,5%; ARG; 75В
Резистор: thin film; 560кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,5%; ARG; 75В

0,25 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Симістор; 600В; 15А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба
Симістор; 600В; 15А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба

186,90 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 600В; 4А; Igt: 35/70мА; TO126; розсипний
Симістор; 600В; 4А; Igt: 35/70мА; TO126; розсипний

15,97 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO126
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; TO220FP; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; TO220FP; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com

39,91 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature; sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 600В; 12А; Igt: 10мА; TO220AB; туба
Симістор; 600В; 12А; Igt: 10мА; TO220AB; туба

63,36 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5мА; DPAK; ролик,cтрічка
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5мА; DPAK; ролик,cтрічка

50,05 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
DPAK
Симістор; 600В; 10А; Igt: 50мА; D2PAK; туба
Симістор; 600В; 10А; Igt: 50мА; D2PAK; туба

86,16 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com

84,90 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ