1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Симистори

Симістор; 200В; 10А; Igt: 25мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А

Симістор; 200В; 10А; Igt: 25мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А
Немає в наявності
Код товару: FT1011BH 00TU
18,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: FT1011BH 00TU
Виробник: FAGOR
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: high commutation
Зворотна напруга макс.: 200В
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Струм вентиля: 25мА
Струм в імпульсі макс.: 100А
Струм провідності макс.: 10А
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Резистор: thin film; 18,9кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 18,9кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%

1,76 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Роз’єм: automotive; AT; на PCB; Блокування: защіпка
Роз’єм: automotive; AT; на PCB; Блокування: защіпка

62,72 грн

Механічний монтаж:
на PCB
Робоча температура:
-55...125°C
Серія виробника:
AT
Система блокування:
защіпка
Недоступний
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

2,19 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 330мкФ; 6,3ВDC; SMD; Y; 2917; ±20%; TPS
Конденсатор: танталовий; 330мкФ; 6,3ВDC; SMD; Y; 2917; ±20%; TPS

60,82 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Корпус:
Y
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
220пФ
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 13/16"; 1/2"; 37мм; Zyklop; хром
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 13/16"; 1/2"; 37мм; Zyklop; хром

389,64 грн

Вид ключа:
насадковий
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Довжина насадки:
37мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5А; Idm: 35А; 1,6Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5А; Idm: 35А; 1,6Вт; TSOT26

8,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
TSOT26
Симістор; 400В; 4А; TO220ABIns; туба; Ifsm: 46А
Симістор; 400В; 4А; TO220ABIns; туба; Ifsm: 46А

114,67 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
internally triggered
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Симістор; 600В; 16А; Igt: 80мА; TO220ABIns; туба; Ifsm: 167А
Симістор; 600В; 16А; Igt: 80мА; TO220ABIns; туба; Ifsm: 167А

181,83 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
alternistor
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 600В; 1А; Igt: 10/25мА; SOT223; ролик,cтрічка; Ifsm: 10А
Симістор; 600В; 1А; Igt: 10/25мА; SOT223; ролик,cтрічка; Ifsm: 10А

44,98 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 600В; 12А; Igt: 50/100мА; TO220AB; туба; Ifsm: 95А; 4Q
Симістор; 600В; 12А; Igt: 50/100мА; TO220AB; туба; Ifsm: 95А; 4Q

40,55 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 1кВ; 8А; Igt: 35мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 1кВ; 8А; Igt: 35мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com

41,18 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Симістор; 600В; 25А; Igt: 50мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 190А
Симістор; 600В; 25А; Igt: 50мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 190А

159,02 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 1,2кВ; 40А; Igt: 50мА; TG-C; розсипний; Ifsm: 350А
Симістор; 1,2кВ; 40А; Igt: 50мА; TG-C; розсипний; Ifsm: 350А

363,66 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TG-C