1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Симистори

Симістор; 200В; 8А; Igt: 10мА; TO220AB; туба; Ifsm: 80А

Симістор; 200В; 8А; Igt: 10мА; TO220AB; туба; Ifsm: 80А
Немає в наявності
Код товару: FT0808BH 00TU
17,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: FT0808BH 00TU
Виробник: FAGOR
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Зворотна напруга макс.: 200В
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Струм вентиля: 10мА
Струм в імпульсі макс.: 80А
Струм провідності макс.: 8А
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Connector: FFC/FPC; data; gold-plated; SMT; 1A; 125V; Easy-On
Connector: FFC/FPC; data; gold-plated; SMT; 1A; 125V; Easy-On

99,47 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
15
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 630В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 630В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

10,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 95,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 95,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0402

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В

2,81 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

7,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 124Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 124Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com

36,11 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 100А
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 100А

71,59 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 25А; Igt: 50мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 250А
Симістор; 800В; 25А; Igt: 50мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 250А

150,79 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature; sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com

40,55 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 600В; 20А; Igt: 30мА; FTO-220AG (5012); туба; Ifsm: 200А
Симістор; 600В; 20А; Igt: 30мА; FTO-220AG (5012); туба; Ifsm: 200А

50,05 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
FTO-220AG (5012)
Симістор; 800В; 6А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 66А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 6А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 66А; 3Q,Hi-Com

62,09 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 150А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 150А; 3Q,Hi-Com

42,45 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ