1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Симистори

Симістор; 200В; 8А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 80А

Симістор; 200В; 8А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 80А
Немає в наявності
Код товару: FT0814BH 00TU
17,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: FT0814BH 00TU
Виробник: FAGOR
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: high commutation
Зворотна напруга макс.: 200В
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Струм вентиля: 35мА
Струм в імпульсі макс.: 80А
Струм провідності макс.: 8А
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; DO35; 2мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; DO35; 2мкА; ролик,cтрічка

432,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO35
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В

0,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Суперконденсатор; THT; 25Ф; 3ВDC; Ø16x25мм; H: 25мм; Ø: 16мм
Суперконденсатор; THT; 25Ф; 3ВDC; Ø16x25мм; H: 25мм; Ø: 16мм

91,23 грн

Висота:
25мм
Діаметр:
16мм
Ємність:
25Ф
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; IP68; 150А
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; IP68; 150А

22004,59 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 1,2кВ; 5А; TO220-2; Ufmax: 2,1В
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 1,2кВ; 5А; TO220-2; Ufmax: 2,1В

257,22 грн

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO220-2
Монтаж:
THT
Потужність розсіювання:
43,3Вт
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com

36,11 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 100А
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 100А

71,59 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 25А; Igt: 50мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 250А
Симістор; 800В; 25А; Igt: 50мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 250А

150,79 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature; sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com

40,55 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 600В; 20А; Igt: 30мА; FTO-220AG (5012); туба; Ifsm: 200А
Симістор; 600В; 20А; Igt: 30мА; FTO-220AG (5012); туба; Ifsm: 200А

50,05 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
FTO-220AG (5012)
Симістор; 800В; 6А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 66А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 6А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 66А; 3Q,Hi-Com

62,09 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 150А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 150А; 3Q,Hi-Com

42,45 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ