Симістор; 400В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба

Name: Симістор; 400В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба
Brand: LITTELFUSE
SKU: Q4012RH5TP
Price: 72.86 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: Q4012RH5TP

72,86 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 1000

Крок додавання: 1000

Код товару:

Q4012RH5TP

Виробник:

LITTELFUSE

Typ of triac:

стандартний

Вид упаковки:

туба

Зворотна напруга макс.:

0,4кВ

Корпус:

TO220AB

Монтаж:

THT

Струм вентиля:

50мА

Струм провідності макс.:

12А

Тип симістора:

стандартний

Тип тиристора:

симистор

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; 0,6кВт; 100÷111В; 4,1А; односпрямована; SMB; P6SMBJ

4,82 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated

Зворотна напруга макс.:
90В

Корпус:
SMB

Недоступний

Бажані

Транзистор: PNP; біполярний; 30В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323

6,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SC70; SOT323

Монтаж:
SMD

Напруги колектор-емітер:
30В

Недоступний

Бажані

IC: мікроконтролер STM32 ARM; 550МГц; TFBGA129; 1,62÷3,6ВDC

465,03 грн

Вид архітектури:
Cortex M7

Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; PdR; PoR; PVD; watchdog; операційний підсилювач

Інтерфейс:
CAN FD; Ethernet; GPIO; HDMI CEC; I2C; I2S; LPUART; MDIO; PDM; SAI; SDMMC; SPDIF; SPI; UART; USART; USB

Кількість входів/виходів:
74

Недоступний

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 16А; 73Вт; PQFN8

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
16нКл

Корпус:
PQFN8

Недоступний

Бажані

Реактор: дротяний; THT; 45мкГн; 2А; R: 70мОм; -25÷105°C

103,27 грн

Індуктивність:
45мкГн

Монтаж:
THT

Опір:
70мОм

Робоча температура:
-25...105°C

Недоступний

Бажані

Роз’єм: BNC; вилка; штекерний; коаксіальний; прямий; 93Ом; POM

244,55 грн

Connector family:
коаксіальний

Вид роз’єму:
штекерний

Матеріал ізоляції:
POM

Матеріал контакту:
латунь

Недоступний

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 4,7А; Idm: 20А; 2Вт; SO8

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
35нКл

Корпус:
SO8

Це може вас зацікавити

Бажані

Симістор; 600В; 20А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 210А

119,11 грн

Typ of triac:
стандартний

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature

Зворотна напруга макс.:
0,6кВ

Бажані

Симістор; 600В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 160А; 3Q,Hi-Com

60,19 грн

Typ of triac:
стандартний

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature; sensitive gate

Зворотна напруга макс.:
0,6кВ

Бажані

Симістор; 800В; 16А; Igt: 10мА; TO220AB; туба; Ifsm: 170А

242,02 грн

Typ of triac:
стандартний

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate

Зворотна напруга макс.:
0,8кВ

Бажані

Симістор; 600В; 4А; Igt: 3мА; TO220ABIns; туба; Ifsm: 33А

138,11 грн

Typ of triac:
стандартний

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate

Зворотна напруга макс.:
0,6кВ

Бажані

Симістор; 400В; 4А; Igt: 10мА; TO220ABIns; туба; Ifsm: 46А

119,74 грн

Typ of triac:
стандартний

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate

Зворотна напруга макс.:
0,4кВ

Бажані

Симістор; 600В; 40А; Igt: 50/70мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 400А; 4Q

223,01 грн

Typ of triac:
стандартний

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate

Зворотна напруга макс.:
0,6кВ

Бажані

Симістор; 800В; 4А; Igt: 35/75мА; DPAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 25А; 4Q

35,48 грн

Typ of triac:
стандартний

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate

Зворотна напруга макс.:
0,8кВ