1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Симистори

Симістор; 600В; 12А; Igt: 25мА; TO263; ролик,cтрічка; Ufmax: 1,7В

Симістор; 600В; 12А; Igt: 25мА; TO263; ролик,cтрічка; Ufmax: 1,7В
Немає в наявності
Код товару: BT138B-600F
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BT138B-600F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.: 0,6кВ
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Пряма напруга макс.: 1,7В
Струм вентиля: 25мА
Струм провідності макс.: 12А
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Недоступний
Резистор: thick film; 976Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 976Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; HV; 800В
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; HV; 800В

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1,5кВ
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thin film; 340Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 340Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 6,45В; 57А; двоспрямована; ±5%; DO214AA,SMB; SM6T
Діод: TVS; 600Вт; 6,45В; 57А; двоспрямована; ±5%; DO214AA,SMB; SM6T

3,55 грн

Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
5,8В
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 475Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 475Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 147кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 147кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Провід; LiYCY; BiT LiYCY; 14x1мм2; ПВХ; сірий; 300В
Провід; LiYCY; BiT LiYCY; 14x1мм2; ПВХ; сірий; 300В

535,35 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
LiYCY
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com

36,11 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 100А
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 100А

71,59 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 25А; Igt: 50мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 250А
Симістор; 800В; 25А; Igt: 50мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 250А

150,79 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature; sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com

40,55 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 600В; 20А; Igt: 30мА; FTO-220AG (5012); туба; Ifsm: 200А
Симістор; 600В; 20А; Igt: 30мА; FTO-220AG (5012); туба; Ifsm: 200А

50,05 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
FTO-220AG (5012)
Симістор; 800В; 6А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 66А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 6А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 66А; 3Q,Hi-Com

62,09 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 150А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 150А; 3Q,Hi-Com

42,45 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ