1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Симистори

Симістор; 600В; 2А; Igt: 5мА; TO220FP; туба; Ifsm: 14А; 3Q,Hi-Com

Симістор; 600В; 2А; Igt: 5мА; TO220FP; туба; Ifsm: 14А; 3Q,Hi-Com
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BTA202X-600D,127
17,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BTA202X-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: sensitive gate
Зворотна напруга макс.: 0,6кВ
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Струм вентиля: 5мА
Струм в імпульсі макс.: 14А
Струм провідності макс.: 2А
Технологія: 3Q; Hi-Com
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В

2,12 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 174Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 174Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

0,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,29А; 5Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,29А; 5Вт; SOT223

9,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,6нКл
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 86,6кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 86,6кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 1,43Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,43Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,87 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 44,2Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 44,2Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Симістор; 600В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; туба; Snubberless™
Симістор; 600В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; туба; Snubberless™

89,33 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
D2PAK
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220ABIns; туба; Snubberless™
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220ABIns; туба; Snubberless™

102,00 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220ABIns
Симістор; 600В; 8А; Igt: 5мА; TO220ABIns; туба
Симістор; 600В; 8А; Igt: 5мА; TO220ABIns; туба

78,56 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 600В; 40А; Igt: 50мА; RD91; розсипний
Симістор; 600В; 40А; Igt: 50мА; RD91; розсипний

554,36 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
RD91
Симістор; 600В; 25А; Igt: 50мА; TO220AB; туба
Симістор; 600В; 25А; Igt: 50мА; TO220AB; туба

94,40 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5/10мА; DPAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 25А; 4Q
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5/10мА; DPAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 25А; 4Q

57,02 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 800В; 8А; Igt: 35/70мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 4Q
Симістор; 800В; 8А; Igt: 35/70мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 4Q

33,58 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ