1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Симистори

Симістор; 600В; 4А; Igt: 5мА; TO220; туба; Ufmax: 1,7В

Симістор; 600В; 4А; Igt: 5мА; TO220; туба; Ufmax: 1,7В
Немає в наявності
Код товару: BT134T-600T
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BT134T-600T
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: туба
Зворотна напруга макс.: 0,6кВ
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Пряма напруга макс.: 1,7В
Струм вентиля: 5мА
Струм провідності макс.: 4А
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; THT; TO220; 20Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; THT; TO220; 20Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

352,26 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1нФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1нФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 1206

6,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; CQ; 200В

1,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,9пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В

5,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 250Вт; 85÷264ВAC; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 250Вт; 85÷264ВAC; OUT: 1

9015,47 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
21А
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com

36,11 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 100А
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 100А

71,59 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 25А; Igt: 50мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 250А
Симістор; 800В; 25А; Igt: 50мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 250А

150,79 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature; sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com

40,55 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 600В; 20А; Igt: 30мА; FTO-220AG (5012); туба; Ifsm: 200А
Симістор; 600В; 20А; Igt: 30мА; FTO-220AG (5012); туба; Ifsm: 200А

50,05 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
FTO-220AG (5012)
Симістор; 800В; 6А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 66А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 6А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 66А; 3Q,Hi-Com

62,09 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 150А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 150А; 3Q,Hi-Com

42,45 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ