1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Симистори

Симістор; 600В; 8А; Igt: 10мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com

Симістор; 600В; 8А; Igt: 10мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BTA208X-600E,127
67,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BTA208X-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: sensitive gate
Зворотна напруга макс.: 0,6кВ
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Струм вентиля: 10мА
Струм в імпульсі макс.: 65А
Струм провідності макс.: 8А
Технологія: 3Q; Hi-Com
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Недоступний
Резистор: thick film; 118Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 118Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
118Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

1,75 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 32,4кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; CQ; 25В
Резистор: thick film; 32,4кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; CQ; 25В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷2мм; 12÷30ВDC; M8; IP67; 200мА
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷2мм; 12÷30ВDC; M8; IP67; 200мА

1649,77 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...2мм
Загальна довжина:
65мм
Кількість пін:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJU2RD
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJU2RD

1,38 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 1.5A

219,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
3,1мм
Недоступний
Резистор: thin film; 464Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 464Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Симістор; 800В; 4А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 25А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 4А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 25А; 3Q,Hi-Com

18,37 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 600В; 4А; Igt: 25мА; TO220FP; туба; Ifsm: 25А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 600В; 4А; Igt: 25мА; TO220FP; туба; Ifsm: 25А; 3Q,Hi-Com

20,91 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com

40,55 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature; sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220FP; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220FP; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com

40,55 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 400В; 25А; Igt: 50/75мА; TO220AB; туба; Ifsm: 190А; 4Q
Симістор; 400В; 25А; Igt: 50/75мА; TO220AB; туба; Ifsm: 190А; 4Q

139,38 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5/10мА; TO220AB; туба; Ifsm: 25А; 4Q
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5/10мА; TO220AB; туба; Ifsm: 25А; 4Q

65,26 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 1,2кВ; 25А; Igt: 150мА; TOP3; туба
Симістор; 1,2кВ; 25А; Igt: 150мА; TOP3; туба

511,91 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
alternistor; високовольтний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ