Симістор; 800В; 12А; Igt: 25мА; TO263; ролик,cтрічка; Ufmax: 1,7В

Немає в наявності
Код товару: BT138B-800F
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BT138B-800F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.: 0,8кВ
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Пряма напруга макс.: 1,7В
Струм вентиля: 25мА
Струм провідності макс.: 12А
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V

184,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 2010; 1,5Вт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 2010; 1,5Вт; ±5%; AS; 400В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thin film; 370Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 370Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 3A; 250V

63,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
18,2мм
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; M12 ALTW; метал
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; M12 ALTW; метал

295,87 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
0,2м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 2A; Ø: 0.4mm; steel; 0.8N; Plating: gold-plated
Test probe: ICT/FCT; 2A; Ø: 0.4mm; steel; 0.8N; Plating: gold-plated

1914,60 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
10мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
самоочищення
Діаметр наконечника:
0,4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com

36,11 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 100А
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 100А

71,59 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 25А; Igt: 50мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 250А
Симістор; 800В; 25А; Igt: 50мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 250А

150,79 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature; sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Ifsm: 140А; 3Q,Hi-Com

40,55 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 600В; 20А; Igt: 30мА; FTO-220AG (5012); туба; Ifsm: 200А
Симістор; 600В; 20А; Igt: 30мА; FTO-220AG (5012); туба; Ifsm: 200А

50,05 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
FTO-220AG (5012)
Симістор; 800В; 6А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 66А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 6А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 66А; 3Q,Hi-Com

62,09 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 150А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 150А; 3Q,Hi-Com

42,45 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ