1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Симистори

Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 120А

Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Ifsm: 120А
Немає в наявності
Код товару: BTB12-800CWK
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BTB12-800CWK
Виробник: WAYON
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: 3-Quadrant
Зворотна напруга макс.: 0,8кВ
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Струм вентиля: 35мА
Струм в імпульсі макс.: 120А
Струм провідності макс.: 12А
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Недоступний
Резистор: thin film; 81,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 81,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 3,4МОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,4МОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
3,4мОм
Недоступний
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 1А; 60В; FFC10-TIN; Р.стрічки: 1мм; Жили: 19
Стрічка FFC; луджений; 1А; 60В; FFC10-TIN; Р.стрічки: 1мм; Жили: 19

24,71 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з протилежного боку
Довжина:
50мм
Номінальна напруга:
60В
Номінальний струм:
1А
Недоступний
Часове реле; 0,5с÷10с; DPDT; 250ВAC/5А; 48ВDC; H3Y; підставка; IP40
Часове реле; 0,5с÷10с; DPDT; 250ВAC/5А; 48ВDC; H3Y; підставка; IP40

3102,51 грн

Вид виходу:
DPDT
Діапазон підраховування:
0,5с...10с
Електричні параметри виходу 1:
250В AC / 5А
Кількість пін:
8
Резистор: metal film; 1,2Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±1%; CSRV
Резистор: metal film; 1,2Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±1%; CSRV

6,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 38,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 38,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Симістор; 400В; 4А; TO220ABIns; туба; Ifsm: 46А
Симістор; 400В; 4А; TO220ABIns; туба; Ifsm: 46А

114,67 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
internally triggered
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Симістор; 600В; 16А; Igt: 80мА; TO220ABIns; туба; Ifsm: 167А
Симістор; 600В; 16А; Igt: 80мА; TO220ABIns; туба; Ifsm: 167А

181,83 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
alternistor
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 600В; 1А; Igt: 10/25мА; SOT223; ролик,cтрічка; Ifsm: 10А
Симістор; 600В; 1А; Igt: 10/25мА; SOT223; ролик,cтрічка; Ifsm: 10А

44,98 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 600В; 12А; Igt: 50/100мА; TO220AB; туба; Ifsm: 95А; 4Q
Симістор; 600В; 12А; Igt: 50/100мА; TO220AB; туба; Ifsm: 95А; 4Q

40,55 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 1кВ; 8А; Igt: 35мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 1кВ; 8А; Igt: 35мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com

41,18 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Симістор; 600В; 25А; Igt: 50мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 190А
Симістор; 600В; 25А; Igt: 50мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 190А

159,02 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 1,2кВ; 40А; Igt: 50мА; TG-C; розсипний; Ifsm: 350А
Симістор; 1,2кВ; 40А; Igt: 50мА; TG-C; розсипний; Ifsm: 350А

363,66 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TG-C