1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Симистори

Симістор; 800В; 16А; Igt: 35/70мА; TO220FP; туба; Ifsm: 155А; 4Q

Симістор; 800В; 16А; Igt: 35/70мА; TO220FP; туба; Ifsm: 155А; 4Q
Немає в наявності
Код товару: BT139X-800,127
60,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BT139X-800,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: sensitive gate
Зворотна напруга макс.: 0,8кВ
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Струм вентиля: 35/70мА
Струм в імпульсі макс.: 155А
Струм провідності макс.: 16А
Технологія: 4Q
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 200Вт; Uвх: 14÷160ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 4,2А
Перетворювач: DC/DC; 200Вт; Uвх: 14÷160ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 4,2А

20850,25 грн

Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
4,2А
Вхідна напруга:
14...160В DC
Додаткові функції:
перешкодоподавляючий фільтр
Недоступний
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

2,19 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: рація Ethernet; MDC,MDI,MDI-X,MDIO,RMII; QFN32; 10/100Base-T
IC: рація Ethernet; MDC,MDI,MDI-X,MDIO,RMII; QFN32; 10/100Base-T

59,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
PHY
Інтерфейс:
MDC; MDI; MDIO; MDI-X; RMII
Категорія Ethernet:
10/100Base-T
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 200кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,21 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST-NO; 0,4A/32ВAC; 0,125A/50ВDC
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST-NO; 0,4A/32ВAC; 0,125A/50ВDC

274,96 грн

Виводи:
пласкі шпильки
Висота кнопки:
2мм
Електрична стійкість:
500000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Реле: електромагнітнe; 48ВAC,48ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; 48ВAC,48ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А

1167,64 грн

Конфігурація контактів:
3PDT
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgNi
Монтаж:
підставка
Недоступний
Резистор: thick film; 61,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 61,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Симістор; 600В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; туба; Snubberless™
Симістор; 600В; 12А; Igt: 35мА; D2PAK; туба; Snubberless™

89,33 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
D2PAK
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220ABIns; туба; Snubberless™
Симістор; 800В; 16А; Igt: 35мА; TO220ABIns; туба; Snubberless™

102,00 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220ABIns
Симістор; 600В; 8А; Igt: 5мА; TO220ABIns; туба
Симістор; 600В; 8А; Igt: 5мА; TO220ABIns; туба

78,56 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 600В; 40А; Igt: 50мА; RD91; розсипний
Симістор; 600В; 40А; Igt: 50мА; RD91; розсипний

554,36 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
RD91
Симістор; 600В; 25А; Igt: 50мА; TO220AB; туба
Симістор; 600В; 25А; Igt: 50мА; TO220AB; туба

94,40 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5/10мА; DPAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 25А; 4Q
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5/10мА; DPAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 25А; 4Q

57,02 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 800В; 8А; Igt: 35/70мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 4Q
Симістор; 800В; 8А; Igt: 35/70мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 4Q

33,58 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ