Симістор; 800В; 45А; Igt: 50мА; SOT1292,TO3P; туба; Ifsm: 495А

Немає в наявності
Код товару: BTA445Z-800BTQ
115,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BTA445Z-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: high temperature
Зворотна напруга макс.: 0,8кВ
Корпус: SOT1292; TO3P
Монтаж: THT
Струм вентиля: 50мА
Струм в імпульсі макс.: 495А
Струм провідності макс.: 45А
Технологія: 3Q; Hi-Com
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Недоступний
Резистор: thin film; 28,7кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 28,7кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: шунт; 0,5мОм; SMD; 9Вт; ±1%; -65÷170°C; 1000шт.
Резистор: шунт; 0,5мОм; SMD; 9Вт; ±1%; -65÷170°C; 1000шт.

41,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; 680нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 680нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603

0,87 грн

Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,68мкФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В

2,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 1,96кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,96кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
1,96кОм
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 220нФ; 630В; 25x12x7мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 220нФ; 630В; 25x12x7мм; THT

3,14 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
4,3кОм
Симістор; 600В; 25А; Igt: 35мА; TO218; туба; Ifsm: 250А
Симістор; 600В; 25А; Igt: 35мА; TO218; туба; Ifsm: 250А

62,72 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO218
600В; 12А; Igt: 20мА; TO220AB
600В; 12А; Igt: 20мА; TO220AB

20,27 грн

Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Струм вентиля:
20мА
Симістор; 600В; 4А; Igt: 3мА; DPAK
Симістор; 600В; 4А; Igt: 3мА; DPAK

8,49 грн

Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Струм вентиля:
3мА
Симістор; 600В; 25А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Snubberless™
Симістор; 600В; 25А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Snubberless™

134,95 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Snubberless™
Симістор; 800В; 12А; Igt: 35мА; TO220AB; туба; Snubberless™

93,77 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220AB
Симістор; 600В; 16А; Igt: 35/70мА; TO220FP; туба; Ifsm: 155А; 4Q
Симістор; 600В; 16А; Igt: 35/70мА; TO220FP; туба; Ifsm: 155А; 4Q

56,39 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 600В; 16А; Igt: 10мА; TO220AB; туба
Симістор; 600В; 16А; Igt: 10мА; TO220AB; туба

92,50 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ