Варистор: багатошарові; SMD; 1210; 18ВAC; 26ВDC; 300А; 60В; 3Дж

Немає в наявності
Код товару: VGAH121026H560DP
25,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: VGAH121026H560DP
Виробник: KYOCERA AVX
Енергія E10/1000мкс: 3Дж
Корпус - дюйм: 1210
Монтаж: SMD
Напруга варистора: 60В
Потужність: 900Вт
Робоча напруга макс.: 18В AC; 26В DC
Струм варистора макс. 8/20мкс: 300А
Тип варистора: багатошарові
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,2нФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 768Б; 4МГц; ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD; DFN8; PIC10
IC: мікроконтролер PIC; 768Б; 4МГц; ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD; DFN8; PIC10

62,09 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Генератор вбудований:
4МГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

2,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Конденсатор: електролітичний; THT; 2200мкФ; 35ВDC; Ø18x35,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 2200мкФ; 35ВDC; Ø18x35,5мм

240,75 грн

Висота:
35,5мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мФ
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 64кБEEPROM; SPI; 8Кx8бит; SOIC8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 64кБEEPROM; SPI; 8Кx8бит; SOIC8; послідовний

46,88 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 0.3N; screw-in; 30mΩ
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 0.3N; screw-in; 30mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Резистор: thin film; 1,01кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,01кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
SMD; 0402; Wмакс.2 мс: 4,8Дж; 125В; 0,8пФ; E10/1000мкс: 4,8Дж
SMD; 0402; Wмакс.2 мс: 4,8Дж; 125В; 0,8пФ; E10/1000мкс: 4,8Дж

5,39 грн

Енергія 2 мс:
4,8Дж
Енергія E10/1000мкс:
4,8Дж
Ємність:
0,8пФ
Корпус - дюйм:
0402
Варистор: багатошарові; SMD; 0805; 120А; 28В; 650пФ; 300мДж
Варистор: багатошарові; SMD; 0805; 120А; 28В; 650пФ; 300мДж

10,07 грн

Енергія E10/1000мкс:
300мДж
Ємність:
650пФ
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Варистор: багатошарові; SMD; 2220; 1,2кА
Варистор: багатошарові; SMD; 2220; 1,2кА

135,58 грн

Корпус - дюйм:
2220
Корпус - мм:
5750
Монтаж:
SMD
Струм варистора макс. 8/20мкс:
1,2кА
Варистор: металооксидний; SMD; 1,2кА; 100В
Варистор: металооксидний; SMD; 1,2кА; 100В

26,55 грн

Монтаж:
SMD
Напруга варистора:
100В
Робоча температура:
-40...85°C
Струм варистора макс. 8/20мкс:
1,2кА
SMD; Wмакс.2 мс: 15мДж; 4А; 70В; 10пФ; E10/1000мкс: 15мДж
SMD; Wмакс.2 мс: 15мДж; 4А; 70В; 10пФ; E10/1000мкс: 15мДж

13,37 грн

Енергія 2 мс:
15мДж
Енергія E10/1000мкс:
15мДж
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Варистор: багатошарові; SMD; 01005; 3,5ВDC; 4А; 6,8В; 100пФ
Варистор: багатошарові; SMD; 01005; 3,5ВDC; 4А; 6,8В; 100пФ

1,50 грн

Ємність:
0,1нФ
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Варистор: металооксидний; SMD; 300ВAC; 385ВDC; 1,2кА
Варистор: металооксидний; SMD; 300ВAC; 385ВDC; 1,2кА

27,37 грн

Монтаж:
SMD
Робоча напруга макс.:
300В AC; 385В DC
Робоча температура:
-40...85°C
Струм варистора макс. 8/20мкс:
1,2кА