Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT x3; Ic: 30А

Немає в наявності
Код товару: APTGTQ50TA65T3G
4605,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 13
Крок додавання: 13
Код товару: APTGTQ50TA65T3G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Використання: двигуни
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 650В
Корпус: SP3F
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм колектора: 30А
Струм колектора в імпульсі: 100А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: півмісток IGBT x3; термістор NTC
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "папа"; прямий; 6,5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "папа"; прямий; 6,5м; вилка; 60ВDC

3198,18 грн

Довжина кабелю:
6,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

962,37 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 63А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 63А; Полюси: 1

1920,30 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
15кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Кількість полюсів:
1
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 340мА
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 340мА

887,61 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,34А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

5307,91 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
35А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт

3612,52 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
234Вт
Струм колектора:
101А
Струм колектора в імпульсі:
101А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

6493,29 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2128,11 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

10048,16 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

1632,67 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B
Модуль: IGBT; півмісток IGBT x3; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1,2кА; HIPAK
Модуль: IGBT; півмісток IGBT x3; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1,2кА; HIPAK

120973,29 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
3,3кВ
Корпус:
HIPAK
Механічний монтаж:
пригвинчуваний