Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 16мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА

Немає в наявності
Код товару: 2SK3557-7-TB-E
22,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2SK3557-7-TB-E
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC59
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -15В
Напруга сток-джерело: 15В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,2Вт
Струм вентиля: 10мА
Струм стока: 16мА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
IC: мікроконтролер; 200МГц; NFBGA169; CAN,I2C,LIN,SPI,USART,USB
IC: мікроконтролер; 200МГц; NFBGA169; CAN,I2C,LIN,SPI,USART,USB

867,34 грн

Вид архітектури:
32бит
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PWM
Інтерфейс:
CAN; I2C; LIN; SPI; USART; USB
Кількість таймерів 16бит:
3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 500В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 500В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0805

10,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,9пФ
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 8,33В; 232,6А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 8,33В; 232,6А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

22,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
7,5В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Обтиск; з подовженим різьбленням; PG16; IP68; поліамід
Обтиск; з подовженим різьбленням; PG16; IP68; поліамід

105,17 грн

Версія введення:
з подовженим різьбленням
Вид різьблення:
PG
Довжина гвинта:
15мм
Зовнішній діаметр проводу:
7...14мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 78; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 78; THT; 1.5A; 60V

750,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4,8мм
Довжина відводів:
6,6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6