Транзистор: N-JFET; 40В; 15мА; 360мВт

Немає в наявності
Код товару: MX2N4092UB
5261,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4
Код товару: MX2N4092UB
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 50Ом
Потужність розсіювання: 0,36Вт
Струм стока: 15мА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 33нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 33нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±10%; THT

3,15 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
33нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; автоматика
Кабель: до датчиків; автоматика

2404,75 грн

Призначення телефонного кабелю:
автоматика
Тип з’єднувального кабелю:
до датчиків
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 1А; 500мВт
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 1А; 500мВт

510,60 грн

Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
80В
Поляризація:
біполярний
Посилення транзистора:
15
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

3546,30 грн

Довжина кабелю:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Кабель: до датчиків; автоматика
Кабель: до датчиків; автоматика

4091,11 грн

Призначення телефонного кабелю:
автоматика
Тип з’єднувального кабелю:
до датчиків
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

40,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В