Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STB18NF25
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STB18NF25
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 29,3нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 0,165Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 110Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 68А
Технологія: STripFET™ II
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 9÷75ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 1,56А
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 9÷75ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 1,56А

4463,39 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
1,56А
Відповідність стандарту:
EN 50155
Недоступний
Резистор: thin film; 34,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 34,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 208кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 208кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В

0,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл