Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1А; 50Вт; TO252; 750нс

Немає в наявності
Код товару: IXTY1N100P
103,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTY1N100P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 750нс
Недоступний
Threading die: metric; M4; right hand thread; 0.7; Thk: 9mm; 6g
Threading die: metric; M4; right hand thread; 0.7; Thk: 9mm; 6g

637,36 грн

Type of threading die:
метрична
Вид різьблення:
права
Діаметр зовнішній:
25мм
Допуск:
6g
Резистор: thin film; 1,5кОм; 300мВт; -55÷155°C; 15ppm/°C
Резистор: thin film; 1,5кОм; 300мВт; -55÷155°C; 15ppm/°C

33,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
1,5кОм
Потужність:
0,3Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 18; THT; 1.5A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 18; THT; 1.5A; 125V

243,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
8,5мм
Довжина відводів:
3мм
Роз’єм: провід-провід; прямий; затискання
Роз’єм: провід-провід; прямий; затискання

36,62 грн

Електричний монтаж:
затискання
Просторова орієнтація:
прямий
Тип роз’єму:
провід-провід
Недоступний
IC: інтерфейс; цифровий ізолятор; 1Мбіт/с; 2,7÷5,5ВDC; SMD; SO16-W
IC: інтерфейс; цифровий ізолятор; 1Мбіт/с; 2,7÷5,5ВDC; SMD; SO16-W

207,17 грн

Вид виходу:
CMOS
Вид каналу:
односпрямована
Вид об'єднаної схеми:
цифровий ізолятор
Вид упаковки:
туба
Заряд.пристр: USB; Вих: USB C; 5/9/15/20В
Заряд.пристр: USB; Вих: USB C; 5/9/15/20В

1132,79 грн

Вид вихідного з'єднання:
USB C
Вихідна напруга:
5/9/15/20В
Тип заряд. пристр.:
USB
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 16,7÷18,5В; 61,5А; двоспрямована; SMB flat; 15BJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 16,7÷18,5В; 61,5А; двоспрямована; SMB flat; 15BJ

30,41 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
15В
Корпус:
SMB flat
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 126А; Idm: 504А
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 126А; Idm: 504А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
160нКл
Корпус:
FP (SC83 similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,2А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,2А; 1,3Вт; SOT23

10,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 120А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 120А; 25Вт; QFN3X3

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
12нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,7нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DPAK; TO252AA