1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 12А; Idm: 48А; 298Вт; TO247-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 12А; Idm: 48А; 298Вт; TO247-3
Немає в наявності
Код товару: APT10090BFLLG
863,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT10090BFLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 71нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,95Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 298Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 8бит; 2,5Мsps; Ch: 4; VSSOP10; -40÷105°C
IC: перетворювач D/A; 8бит; 2,5Мsps; Ch: 4; VSSOP10; -40÷105°C

0,00 грн

Max DNL:
±0,18LSB
Max INL:
±0,5LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Інтерфейс:
SPI
Connector: PCB-cable/PCB; socket; male; data; SignalBee; PIN: 10
Connector: PCB-cable/PCB; socket; male; data; SignalBee; PIN: 10

97,57 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0543-0536-0-52
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 27В; 16А; односпрямована; ±5%; SOD128
Діод: TVS; 0,6кВт; 27В; 16А; односпрямована; ±5%; SOD128

8,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
23,1В
Корпус:
SOD128
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; TQFP32; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 4; 0,8мм
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; TQFP32; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 4; 0,8мм

299,04 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
CAN; debugWIRE; LIN; SPI; UART
Кількість каналів PWM:
10
Недоступний
Діод: TVS; 0,2кВт; 167÷185В; 0,8А; односпрямована; ±5%; SOD123F
Діод: TVS; 0,2кВт; 167÷185В; 0,8А; односпрямована; ±5%; SOD123F

30,41 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
150В
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0201; 6,2нГн; 360мА; R: 0,22Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0201; 6,2нГн; 360мА; R: 0,22Ом; ±5%; LQW

10,01 грн

Високосортність:
39
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
6,2нГн
Недоступний
Діод: зенера; 150мВт; 3,9В; SMD; SC79,SOD523; одиночний діод
Діод: зенера; 150мВт; 3,9В; SMD; SC79,SOD523; одиночний діод

13,30 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зенерівська напруга:
3,9В
Корпус:
SC79; SOD523
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP

195,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3

848,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3

468,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс

506,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
80нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB

564,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™

1127,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
358нКл