Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFH130N15X3
506,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFH130N15X3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 390Вт
Струм стока: 130А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 80нс
Недоступний
Резистор: thin film; 213кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 213кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

15,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,71 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,8÷16ВDC; 3А; SOT25; SMD; 1МГц; Ch: 1
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,8÷16ВDC; 3А; SOT25; SMD; 1МГц; Ch: 1

53,85 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
2,8...16В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; штекерний; промислова; M12 ALTW; кутовий; IP68
Роз’єм: M12; вилка; штекерний; промислова; M12 ALTW; кутовий; IP68

1263,94 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
4м
Електричний монтаж:
проводи
Connector: D-Sub; PIN: 8; socket; female; data transfer; straight
Connector: D-Sub; PIN: 8; socket; female; data transfer; straight

353,52 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
8
Резистор: thick film; 1,18кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CRCW0805
Резистор: thick film; 1,18кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; CRCW0805

1,46 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB