Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 28А; Idm: 112А; 690Вт; TO247MAX

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 28А; Idm: 112А; 690Вт; TO247MAX
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: APT10035B2FLLG
Price: 1787.26 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: APT10035B2FLLG

1787,26 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

APT10035B2FLLG

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

186нКл

Корпус:

TO247MAX

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

1кВ

Опір в стані провідності:

370мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

690Вт

Струм стока:

28А

Струм стоку в імпульсі:

112А

Технологія:

POWER MOS 7®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 141А; 417Вт; TO247-3

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
0,21мкКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
8,3нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
110нКл

Корпус:
TO247AC

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
13,3нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

26,61 грн

Вид упаковки:
розсипний

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
-35В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Модель:
ESD