Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP10NK60Z
169,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,75Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 115Вт
Струм стока: 5,7А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Вимикач максимального струму; 240ВAC; 48ВDC; 4А; SPST; T9-311-611
Вимикач максимального струму; 240ВAC; 48ВDC; 4А; SPST; T9-311-611

134,95 грн

Виводи:
конектори
Властивості вимикачів:
пилозахищений (з обгороджуванням)
Діелектрична міцність:
1,5кВ
Застосування вимикачів:
UPS; для захисту побутових приладів; для захисту промислових пристроїв
Конденсатор: керамічний; 3,9нФ; 2кВDC; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; 3,9нФ; 2кВDC; X7R; ±10%; SMD; 1812

39,91 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
3,9нФ
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А

319,94 грн

Alias:
SLD 3.50/16/90F 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
26,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6DQF
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6DQF

2,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thick film; 38,3кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 38,3кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: metal film; 2,74кОм; THT; 500мВт; ±1%; MF; 250В; осьові
Резистор: metal film; 2,74кОм; THT; 500мВт; ±1%; MF; 250В; осьові

0,52 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 8А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 8А; 63Вт; TO251

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO262

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB

285,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P

600,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
127нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
42нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс

349,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
21нКл