Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 9А; 335Вт; D3PAK,TO268

Немає в наявності
Код товару: APT9M100S/TR
306,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 400
Крок додавання: 400
Код товару: APT9M100S/TR
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: D3PAK; TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 1,4Ом
Потужність розсіювання: 335Вт
Стандартне пакування виробника: 400шт.
Струм стока: 9А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN40; PIC18; туба
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN40; PIC18; туба

148,25 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; Phase locked loop; PoR; watchdog; XLP
Інтерфейс:
EUSART; I2C x2; LIN; RS232; RS485; SPI x2
Недоступний
Наконечник; викрутка; 2мм; longlife; Performance
Наконечник; викрутка; 2мм; longlife; Performance

1311,46 грн

Властивості паяльного обладнання:
LONGLIFE
Застосування паяльного обладнання:
для паяльника; до паяльної станції
Розміри наконечника:
2мм
Серія виробника:
Performance
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 2220

98,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD