Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IPI030N10N3GXKSA1
Price: 242.00 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IPI030N10N3GXKSA1

242,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IPI030N10N3GXKSA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PG-TO262-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

3мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

300Вт

Струм стока:

100А

Технологія:

OptiMOS™ 3

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

IC: пам'ять FLASH; 4ГбFLASH; parallel 8bit; TSOP48; паралельний

810,87 грн

Вид пам’яті:
NAND

Інтерфейс:
parallel 8bit

Корпус:
TSOP48

Монтаж:
SMD

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 47А; 415Вт; PG-TO247-3

594,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
PG-TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 34А; 46Вт; TO220FP

191,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220FP

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 125А; 136Вт; TO220-3

100,73 грн

Заряд затвора:
69нКл

Корпус:
TO220-3

Монтаж:
THT

Напруга сток-джерело:
30В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 75А; 285Вт; TO247

185,61 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
7нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14,9А; 310Вт; TO3PN

321,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
145нКл

Корпус:
TO3PN

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 21Вт; TO220FP

121,63 грн

Заряд затвора:
5,7нКл

Корпус:
TO220FP

Монтаж:
THT

Поляризація:
польовий

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92

46,88 грн

Вид каналу:
збіднений

Вид упаковки:
розсипний

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT