Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; Idm: 475А; 269Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; Idm: 475А; 269Вт
Brand: NEXPERIA
SKU: PSMN7R0-100BS,118
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: PSMN7R0-100BS,118

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 800

Крок додавання: 800

Код товару:

PSMN7R0-100BS,118

Виробник:

NEXPERIA

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

125нКл

Корпус:

D2PAK; SOT404

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

15мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

269Вт

Струм стока:

100А

Струм стоку в імпульсі:

475А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 32А; 26Вт

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
8,3нКл

Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 10А; 150Вт; TO252

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 9А; Idm: 36А; 104Вт

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
72нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 38,9А; 155Вт; D2PAK

165,36 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
98нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,915А; 0,3Вт; SC75; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,82нКл

Корпус:
SC75

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; 110Вт; D2PAK; ESD

113,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,3А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD