1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 9А; Idm: 36А; 104Вт

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 9А; Idm: 36А; 104Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO9N50D1B
15,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: WMO9N50D1B
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 72нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,68Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Технологія: WMOS™ D1
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 3,12А
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 3,12А

4337,31 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
3,12А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Додаткові функції:
регулювання вихідного струму
Недоступний
Резистор: thin film; 68кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thin film; 68кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 250мВт; ±1%; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Діод: TVS; 8кВт; 17,8÷19,7В; 307,7А; двоспрямована; ±5%; DO214AB
Діод: TVS; 8кВт; 17,8÷19,7В; 307,7А; двоспрямована; ±5%; DO214AB

105,80 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
16В
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВAC; DPDT; Iконтактів max: 8А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВAC; DPDT; Iконтактів max: 8А

130,51 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
8А
Матеріал контакту:
AgNi
Резистор: thick film; 27кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 27кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 145Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 145Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 569Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 569Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 40А; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 40А; TO252AA

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252AA
Монтаж:
SMD