Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А; 131,6Вт

Немає в наявності
Код товару: DI120N10PQ
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI120N10PQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 131,6Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 150В; 300мА; 1Вт
Транзистор: NPN; біполярний; 150В; 300мА; 1Вт

2324,51 грн

Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
150В
Поляризація:
біполярний
Потужність розсіювання:
1Вт
Недоступний
Test probe: switching; 5A; Ø: 5mm; SKS-415; plastic; 0.5N; push-in
Test probe: switching; 5A; Ø: 5mm; SKS-415; plastic; 0.5N; push-in

662,06 грн

Type of test probe:
switching
Вигин пружини макс.:
5,2мм
Висота одвороту:
2мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 83,3В; 4,9А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 83,3В; 4,9А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1

7,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
75В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD123F
IC: цифровий; NAND; Ch: 3; IN: 3; THT; DIP14; 74LS
IC: цифровий; NAND; Ch: 3; IN: 3; THT; DIP14; 74LS

57,02 грн

Вид затвору:
NAND
Кількість каналів:
triple; 3
Корпус:
DIP14
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0805

6,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,8пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252