Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: S3M0040120B
287,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: S3M0040120B
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 143нКл
Корпус: T2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 333Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 4A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 4A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)

193,87 грн

Виводи:
для друку
Властивості перемикачів:
без важеля
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; SMT; straight

65,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

63,99 грн

Alias:
C0603C472F5GAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Резистор: thick film; 820Ом; 5Вт; ±5%; SMF; -55÷200°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 820Ом; 5Вт; ±5%; SMF; -55÷200°C; 100ppm/°C

35,73 грн

Допуск:
±5%
Опір:
820Ом
Потужність:
5Вт
Робоча температура:
-55...200°C
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 2,5мм

3,26 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 3,5А; Idm: 14А; 2,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 3,5А; Idm: 14А; 2,5Вт; SOT23

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 79А; Idm: 500А; 89,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 79А; Idm: 500А; 89,2Вт

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
73,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 90А; Idm: 360А; 118Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 90А; Idm: 360А; 118Вт

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 148А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 148А; 75Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 58А; Idm: 232А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 58А; Idm: 232А; 48Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8