Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 267А; Idm: 900А; 145Вт

Немає в наявності
Код товару: NTMTSC1D6N10MCTXG
224,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: NTMTSC1D6N10MCTXG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: Power88
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 1,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 145Вт
Струм стока: 267А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight

9,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА

205,27 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
42мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; SPI; 1Mx8бит; 50МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; SPI; 1Mx8бит; 50МГц; 2,7÷3,6В; WSON8

89,33 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
WSON8
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2,2÷5,5ВDC; SOT23-5; 8мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2,2÷5,5ВDC; SOT23-5; 8мкВ

57,02 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
8мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
50пА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Модуль: RF; PCB; XBee; 2,4ГГц; I2C,SPI,UART; -103дБм; 19дБм; SMD
Модуль: RF; PCB; XBee; 2,4ГГц; I2C,SPI,UART; -103дБм; 19дБм; SMD

2223,14 грн

Вид антени:
PCB
Вид модуля:
XBee
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART
Комунікаційний протокол:
DigiMesh; IEEE 802.15.4; ZigBee
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 16В; X8R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 16В; X8R; ±10%; SMD; 1206

14,89 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD