Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 32,7А; Idm: 180А; 3,7Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: DMTH10H025SK3-13
17,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMTH10H025SK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 21,4нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,7Вт
Струм стока: 32,7А
Струм стоку в імпульсі: 180А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3,83кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 3,83кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
3,83кОм
Connector: wire-board; male; data; Inom: 50A; 600V; PIN: 2; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Inom: 50A; 600V; PIN: 2; shrouded

243,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
2
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley

11990,64 грн

Engineering PN:
2090-CPBM7DF-16AF10
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
10м
Модель:
заправлений
Недоступний
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP

9,00 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; SPI; 32Кx8бит; TSSOP8; туба
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; SPI; 32Кx8бит; TSSOP8; туба

84,26 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
TSSOP8
Недоступний
Резистор: керамічний; 4,7Ом; THT; 2Вт; ±10%; PCF; 400В; -40÷200°C
Резистор: керамічний; 4,7Ом; THT; 2Вт; ±10%; PCF; 400В; -40÷200°C

27,18 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
7мм
Довжина:
19мм
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 250В; ±20%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 250В; ±20%; THT; 5мм

4,43 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
4,7нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PDFN5060-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23,7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
TO252